在全球半导体产业的风云变幻中，中国半导体企业正在积极寻求技术突破与产业升级，力图在国际市场上占据一席之地。江苏长晶科技股份有限公司（以下简称“长晶科技”）作为中国半导体功率器件领域的佼佼者，凭借其卓越的自主创造新兴事物的能力，正加速推动中国半导体产业的发展。
长晶科技自成立之初，就将技术创新视为公司发展的生命线。公司持续加大研发投入，引进和培养高素质的研发人才，组建了一支实力丰沛雄厚的开发团队。截至2024年底，长晶科技已拥有220件授权专利（其中发明专利75件）和97件集成电路布图设计专有权，合计知识产权数量约365件。这些知识产权不仅展示了公司在技术创新方面的雄厚实力，也为其产品的市场竞争力提供了坚实保障。
在当前全球科学技术加快速度进行发展的背景下，半导体行业成为推动技术革新与产业变革的关键领域。长晶科技作为一家新兴企业，在中国乃至全球的功率半导体市场中展现出显著的竞争力和创造新兴事物的能力。自2018年成立以来，长晶科技专注于半导体研发技术与产品创新，其主要产品线涵盖分立器件及电源管理集成电路（IC），并依据市场需求继续扩展其种类。公司的核心业务可大致分为成品和晶圆两大类，覆盖从传统二极管、三极管到多种结构的MOSFET、电源管理IC等多种类型。
瞄准前沿科技，推动产业创新，极具爆发力的长晶科技还在不断开拓更多应用场景的“硬核”产品。近几年，随着电动汽车和新能源应用领域的加快速度进行发展，有着“工业CPU”之称的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件和模块也迎来了爆发。作为整个功率器件市场里较大的细分品类，IGBT技术门槛较高，是长晶科技中长期规划的重要产品之一。通过不断改良工艺平台，长晶科技研发并推出了FST3.0 IGBT产品，该产品采用了先进的微沟槽栅（1.6μm Pitch）+场终止技术，极大地提高了载流子密度，降低了通态损耗和开关损耗。同时，FST3.0 IGBT还具备出色的温度稳定性和功率密度，能够在各种恶劣环境下保持稳定的性能输出。这些技术创新不仅提升了产品的整体性能，也进一步巩固了长晶科技在IGBT领域的领先地位。
另外，因为MOSFET功率器件因其高效、低损耗的特点，在电机控制、电池管理系统等关键领域发挥着无法替代的作用。在这样的领域，长晶科技凭借其卓越的技术实力和创造新兴事物的能力，取得了重大突破，推出了CSP MOSFET，为智能移动等设备的发展注入了新的活力。
也正是凭借这种对技术创新的持续追求，2022年，长晶科技成功获评国家级专精特新“小巨人”企业，由企业主导的“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术探讨研究”项目成功入选江苏省重点研发计划。
长晶科技的成功并非偶然，而是其长时间坚持技术创新和质量优先战略的结果。未来，随技术的慢慢的提升和市场的持续不断的发展，长晶科技将继续引领功率半导体行业的发展的新趋势，为中国半导体产业的进步贡献更多的力量。
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时间: 2025-03-26 17:48:55 | 作者: 产品展示
